IRF540PBF, Транзистор, N-канал 100В 28А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF540PBF, Транзистор, N-канал 100В 28А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210092.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827690.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC022341867.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC035064058.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC035064062.jpg)
910 ֏
540 ֏
от 15 шт. —
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 20А, 150Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.077 Ом/17А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
Крутизна характеристики, S | 8.7 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 152 КБ
Datasheet
pdf, 272 КБ
IRF540 datasheet
pdf, 177 КБ
Документация
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF540
pdf, 151 КБ