IRF540NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [D2-PAK]
![Фото 1/8 IRF540NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395420.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC012240770.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843759.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/095/DOC003095843.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
1 400 ֏
870 ֏
от 15 шт. —
850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.044 Ом/16А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 | |
Крутизна характеристики, S | 21 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |