IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
![Фото 1/6 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842069.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/536/DOC006536335.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
1 460 ֏
880 ֏
от 50 шт. —
850 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/5.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 82 | |
Крутизна характеристики, S | 4.9 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF630NSTRLPBF
pdf, 336 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ
Datasheet irf630npbf
pdf, 337 КБ