IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
![Фото 1/4 IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]](https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC005314169.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/565/DOC006565084.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/075/DOC021075019.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/075/DOC021075023.jpg)
2 430 ֏
1 410 ֏
от 5 шт. —
1 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 410 ֏
Описание
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0345 Ом/7.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 | |
Крутизна характеристики, S | 16 | |
Корпус | DirectFET-MZ | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…4.9 | |
Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF6643TRPBF
pdf, 439 КБ
Datasheet IRF6643TRPBF
pdf, 453 КБ
Datasheet IRF6643
pdf, 445 КБ