IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX]
![Фото 1/4 IRF6727MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 32A [DIRECTFET-MX]](https://static.chipdip.ru/lib/314/DOC005314169.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/180/DOC028180552.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/323/DOC028323516.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/565/DOC028565355.jpg)
3 760 ֏
от 5 шт. —
3 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 760 ֏
Описание
Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4800 |
Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | DirectFET-MX |
Part # Aliases: | IRF6727MTRPBF SP001530240 |
Pd - Power Dissipation: | 89 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 49 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.84 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
Вес, г | 1.3 |
Техническая документация
Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-1732612
pdf, 259 КБ
Документация
pdf, 262 КБ