IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
![Фото 1/6 IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395259.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762060.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775172.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
443 ֏
306 ֏
от 50 шт. —
282 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 306 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.
Технические параметры
Структура | N/P-каналы | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5/2.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 3.1/4.3 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |