IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
![Фото 1/6 IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762060.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
730 ֏
447 ֏
от 25 шт. —
400 ֏
1 шт.
на сумму 447 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом/7.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 5.8 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 182 КБ
IRF7201 Datasheet
pdf, 114 КБ
Datasheet irf7201pbf
pdf, 173 КБ