IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8]
![Фото 1/5 IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
425 ֏
260 ֏
от 25 шт. —
244 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом/4.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 6.6 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7205TRPBF
pdf, 274 КБ
Datasheet IRF7205
pdf, 275 КБ