IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 ֏

385 ֏

от 25 шт. — 371 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 385 ֏

Номенклатурный номер: 9000586841

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	5.2
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15