IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
![Фото 1/5 IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395259.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/092/DOC024092083.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
790 ֏
520 ֏
от 25 шт. —
472 ֏
1 шт.
на сумму 520 ֏
Описание
The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package. RoHS compliant
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.029 Ом/5.8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 14 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet IRF7313
pdf, 205 КБ