IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
![Фото 1/8 IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174838.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395259.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762060.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748618.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
730 ֏
418 ֏
от 25 шт. —
400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 418 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
Технические параметры
Структура | 2P-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.058 Ом/4.9А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 7.7 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 237 КБ
Datasheet IRF7316TRPBF
pdf, 204 КБ
Datasheet irf7316pbf
pdf, 205 КБ