Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы ...

IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 ֏

312 ֏

от 25 шт. — 288 ֏

1 шт. на сумму 312 ֏

Номенклатурный номер: 9000612812

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.

Технические параметры

Структура	N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.6/5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	20/5.9
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15