IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
![Фото 1/8 IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395259.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/092/DOC024092083.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC031249441.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC031253271.jpg)
444 ֏
от 50 шт. —
415 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 444 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
The Infineon IRF series is the -20V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package. Planar cell structure for wide SOA
Технические параметры
Структура | 2P-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом/9А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 19 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ
Datasheet IRF7324
pdf, 164 КБ