IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [SOIC-8]
![Фото 1/4 IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC001642669.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436284.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
437 ֏
315 ֏
от 50 шт. —
291 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 315 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Описание Транзистор полевой IRF7416TRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность печатной платы (SMD). Устройство отличается током стока до 10 А и напряжением сток-исток до 30 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора составляет 2,5 Вт, а компактный корпус SO8 обеспечивает его легкую интеграцию в различные устройства. Продукт IRF7416TRPBF идеален для применения в силовой электронике, блоках питания и как ключевой элемент в различных управляющих цепях. Купите этот надежный компонент для гарантированной эффективности и долговечности вашей электронной аппаратуры. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 10 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 2.5 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/5.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 5.6 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet irf7416pbf
pdf, 237 КБ