IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
![Фото 1/6 IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/092/DOC024092083.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775172.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/447/DOC004447557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
730 ֏
458 ֏
от 50 шт. —
427 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 458 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 27 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |