IRF7807TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8]
![IRF7807TR, Транзистор N-MOSFET 30В 11А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2801 шт. с центрального склада, срок 8 дней
64 ֏
от 50 шт. —
59 ֏
1 шт.
на сумму 64 ֏
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11 мОм/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 22 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.25 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet UMW IRF7807
pdf, 376 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг