IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 280 ֏

740 ֏

от 25 шт. — 690 ֏

1 шт. на сумму 740 ֏

Номенклатурный номер: 9000612815

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.004 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	7.7
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.25