IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]
![Фото 1/4 IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 610 ֏
1 840 ֏
от 25 шт. —
1 800 ֏
1 шт.
на сумму 1 840 ֏
Описание
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 19/24 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.25 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF7907PBF
pdf, 320 КБ
