IRF820APBF
![Фото 1/7 IRF820APBF](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751660.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192241.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/068/DOC006068732.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC036077300.jpg)
530 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 ом при 1.5a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 | |
Крутизна характеристики, S | 3 | |
Корпус | to220ab | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.72 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 135 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 286 КБ
Datasheet IRF820APBF
pdf, 156 КБ
Документация
pdf, 278 КБ