IRF830APBF, Транзистор, N-канал 500В 5A [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRF830APBF, Транзистор, N-канал 500В 5A [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC001279744.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC022341835.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC044403677.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/077/DOC036077300.jpg)
1 400 ֏
860 ֏
от 15 шт. —
830 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 ֏
Описание
The Vishay power MOSFET has low gate charge Qg results in simple drive requirement and it has improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4 Ом/3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 | |
Крутизна характеристики, S | 2.8 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4.5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1044 КБ
Datasheet
pdf, 1043 КБ
irf830a
pdf, 1092 КБ
Документация
pdf, 1166 КБ
Datasheet IRF830A
pdf, 253 КБ