IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

407 ֏

250 ֏

от 25 шт. — 233 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 ֏

Номенклатурный номер: 9000064919

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0119 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	25
Корпус	SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе	1.35…2.35
Вес, г	0.15