IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

910 ֏

570 ֏

от 25 шт. — 550 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 ֏

Номенклатурный номер: 9000618326

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	24
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0028 ом при 24a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	95
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15