IRF9520SPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.8 А, -100 В, 0.6 Ом, -10 В, -4 В
![Фото 1/3 IRF9520SPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.8 А, -100 В, 0.6 Ом, -10 В, -4 В](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
1 830 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 650 ֏
от 100 шт. —
1 250 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 12 810 ֏
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -4,8А, 60Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.8A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 60W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.1A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.493 |