IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210848.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/328/DOC024328451.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/685/DOC035685072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/685/DOC035685076.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
850 ֏
510 ֏
от 15 шт. —
482 ֏
1 шт.
на сумму 510 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/8.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
Крутизна характеристики, S | 3.2 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 231 КБ
Datasheet IRF9530NPBF
pdf, 234 КБ
Datasheet IRF9530N
pdf, 118 КБ