IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]
![Фото 1/3 IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/392/DOC024392984.jpg)
1 220 ֏
840 ֏
от 15 шт. —
780 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/8.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 | |
Крутизна характеристики, S | 3.2 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF9530NSTRLPBF
pdf, 817 КБ
Datasheet IRF9530NS
pdf, 805 КБ