IRF9540NSTRLPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [D2-Pak]
![Фото 1/5 IRF9540NSTRLPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [D2-Pak]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/843/DOC043843759.jpg)
1 280 ֏
680 ֏
от 15 шт. —
620 ֏
1 шт.
на сумму 680 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.117 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 5.3 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 306 КБ
Datasheet IRF9540NSTRLPBF
pdf, 328 КБ
Datasheet IRF9540ns
pdf, 186 КБ