IRFB4227PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А, [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRFB4227PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А, [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330112.jpg)
4 310 ֏
3 250 ֏
от 15 шт. —
3 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 250 ֏
Описание
200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs
Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.024 Ом/46А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 49 | |
Корпус | TO-220AB | |
Вес, г | 2.5 |