IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRFB4229PBF, Транзистор, N-канал 250В 46А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/233/DOC028233343.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/917/DOC022917841.jpg)
4 250 ֏
2 940 ֏
от 15 шт. —
2 930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 ֏
Описание
The Infineon IRFB series is the 250V single n channel strong IRFET power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.046 Ом/26А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 83 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet IRFB4229PBF
pdf, 292 КБ