IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 670 ֏

1 780 ֏

от 15 шт. — 1 760 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 780 ֏

Номенклатурный номер: 9000037316

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	35
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	5.5
Вес, г	2.5