IRFB7534PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 60В, 195А, 2.4мОм, [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRFB7534PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 60В, 195А, 2.4мОм, [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/546/DOC010546526.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/218/DOC025218581.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
3 160 ֏
1 840 ֏
от 15 шт. —
1 620 ֏
1 шт.
на сумму 1 840 ֏
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы StrongIRFET ™
Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET ™ оптимизированы для работы с низким R DS (включено) и высоким током. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Эти полевые МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность приводит к повышенной устойчивости и надежности для приложений с высокой удельной мощностью, требующих высокой эффективности и надежности.
Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET ™ оптимизированы для работы с низким R DS (включено) и высоким током. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Эти полевые МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность приводит к повышенной устойчивости и надежности для приложений с высокой удельной мощностью, требующих высокой эффективности и надежности.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0024 Ом/100А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 294 | |
Крутизна характеристики, S | 498 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений | |
Вес, г | 2.5 |