IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211125.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395416.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827690.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/504/DOC003504477.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC023785358.jpg)
1 400 ֏
990 ֏
от 15 шт. —
930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 ֏
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/1.9А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Крутизна характеристики, S | 2.1 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFBG30PBF
pdf, 1636 КБ
IRFBG30 Datasheet
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 1638 КБ
Datasheet IRFBG30
pdf, 606 КБ