IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
![Фото 1/6 IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/870/DOC034870462.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/592/DOC044592467.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/597/DOC006597905.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614822.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC022343350.jpg)
265 ֏
от 15 шт. —
258 ֏
1 шт.
на сумму 265 ֏
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 Ом/0.48А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
Крутизна характеристики, S | 1.1 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 989 КБ
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 1894 КБ
IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 1894 КБ
Datasheet IRFD220, SiHFD220
pdf, 1895 КБ