IRFD9010PBF, MOSFET, P-CH, 50V, 1.1A, HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 520 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 100 шт. —
1 030 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 12 160 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Vishay Semiconductor P-channel mosfet HVMDIPs are intended for use in power stages where complementary symmetry with n-channel devices offers circuit simplification.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.35Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.1А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HVMDIP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | HVMDIP |
| Вес, г | 4.54 |
