IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)
![Фото 1/3 IRFH8318TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 50А [PQFN-5x6] (=IRFH8318TR2PBF)](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313837.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/202/DOC029202261.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC006537692.jpg)
1 700 ֏
990 ֏
от 15 шт. —
970 ֏
1 шт.
на сумму 990 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0031 Ом/20А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 59 | |
Крутизна характеристики, S | 81 | |
Корпус | PQFN-8(5X6) | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 244 КБ
Datasheet IRFH8318TR2PBF
pdf, 239 КБ
Datasheet IRFH8318TRPBF
pdf, 255 КБ
Datasheet IRFH8318
pdf, 281 КБ