IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
![IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]](https://static.chipdip.ru/lib/994/DOC003994462.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Спецпредложение
228 ֏
от 15 шт. —
214 ֏
1 шт.
на сумму 228 ֏
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0061 Ом/20А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 | |
Крутизна характеристики, S | 56 | |
Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.2…2.2 | |
Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
irfhm8329pbf
pdf, 466 КБ
Datasheet IRFHM8329TRPBF
pdf, 593 КБ