IRFL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
![Фото 1/6 IRFL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/779/DOC015779971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/501/DOC016501509.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/996/DOC034996111.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/087/DOC012087510.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368740.jpg)
910 ֏
540 ֏
от 50 шт. —
453 ֏
1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/0.9А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 | |
Крутизна характеристики, S | 1.1 | |
Корпус | SOT-223 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2017 КБ
Datasheet
pdf, 1496 КБ
Datasheet IRFL110, SiHFL110
pdf, 2015 КБ