IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]
![Фото 1/8 IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210851.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454937.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/328/DOC026328572.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/328/DOC026328576.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC037785609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC037785613.jpg)
2 190 ֏
1 420 ֏
от 15 шт. —
1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.075 Ом/18А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 | |
Крутизна характеристики, S | 17 | |
Корпус | TO-247AC | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP250NPBF
pdf, 180 КБ
Datasheet IRFP250N
pdf, 180 КБ