IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]
![Фото 1/5 IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758128.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181900.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
2 610 ֏
1 680 ֏
от 15 шт. —
1 650 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 680 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/28А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |