IRFP3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 51А [TO-247AC]
![Фото 1/7 IRFP3710PBF, Транзистор, N-канал 100В 51А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211083.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/380/DOC044380444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454937.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC040673429.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC040673433.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/380/DOC044380448.jpg)
2 430 ֏
1 520 ֏
от 15 шт. —
1 490 ֏
1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 49 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом/28А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180 | |
Крутизна характеристики, S | 20 | |
Корпус | TO-247AC | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 229 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 235 КБ
Datasheet IRFP3710
pdf, 190 КБ