IRFP448PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 940 ֏
от 100 шт. —
4 020 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 12 000 ֏
Описание
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 0.6Ohm; ID 11A; TO-247AC; PD 180W; VGS +/-20V
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
