IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]
![Фото 1/10 IRFP90N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 94А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307910.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC028959609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/454/DOC044454937.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/541/DOC002541126.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC028713008.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/713/DOC028713016.jpg)
4 550 ֏
3 110 ֏
от 15 шт. —
3 040 ֏
1 шт.
на сумму 3 110 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 94 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом/0.056А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 580 | |
Крутизна характеристики, S | 39 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 186 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 179 КБ
Datasheet IRFP90N20DPBF
pdf, 172 КБ