IRFR120ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А [DPAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 280 ֏

860 ֏

от 15 шт. — 840 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 ֏

Номенклатурный номер: 9000799290

The Infineon HEXFET® Power MOSFET series utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.19 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	35
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4