IRFR4620TRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 24А [D-PAK]
![Фото 1/3 IRFR4620TRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 24А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/585/DOC044585341.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC024036490.jpg)
2 370 ֏
1 630 ֏
от 15 шт. —
1 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 630 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.078 Ом/15А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 144 | |
Крутизна характеристики, S | 37 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFR4620
pdf, 384 КБ