IRFS4229TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 250В 45А [D2-PAK]
![Фото 1/3 IRFS4229TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 250В 45А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/188/DOC007188526.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/971/DOC023971812.jpg)
4 370 ֏
3 070 ֏
от 15 шт. —
3 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 070 ֏
Описание
The Infineon HEXFET® Power MOSFET is specifically designed for Sustain Energy Recovery & Pass switch applications in plasma Display panels.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.048 Ом/26А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 83 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFS4229PBF
pdf, 310 КБ