IRFU024NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 55В 17А [IPАK]
![Фото 1/4 IRFU024NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 55В 17А [IPАK]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313997.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/537/DOC044537760.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/347/DOC022347717.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/704/DOC027704840.jpg)
650 ֏
от 15 шт. —
620 ֏
1 шт.
на сумму 650 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.075 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 | |
Корпус | IPАK | |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 406 КБ
Datasheet
pdf, 176 КБ
Datasheet irfr024npbf
pdf, 400 КБ