IRFZ40PBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 35 А, 0.028 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 320 ֏
от 100 шт. —
1 930 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 200 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The IRFZ40PBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 40 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 40@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2350@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 788 КБ
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet
pdf, 771 КБ
Datasheet IRFZ40PBF
pdf, 1622 КБ
