IRFZ44RPBF, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.028 Ом, 10 В, 4 В
![Фото 1/4 IRFZ44RPBF, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.028 Ом, 10 В, 4 В](https://static.chipdip.ru/lib/158/DOC026158040.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728233.jpg)
2 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 230 ֏
от 100 шт. —
1 900 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 040 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Chan 60V 50 Amp
Технические параметры
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Base Product Number | IRFZ44 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 31A, 10V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2 |