IRL3705NPBF, Транзистор, N-канал 55В 89А [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRL3705NPBF, Транзистор, N-канал 55В 89А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210841.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751659.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/917/DOC022917308.jpg)
1 700 ֏
1 030 ֏
от 15 шт. —
1 010 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 89 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом/46А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 | |
Крутизна характеристики, S | 50 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2396 КБ
Datasheet IRL3705N
pdf, 106 КБ
Datasheet IRL3705N
pdf, 111 КБ