IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210829.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC024330766.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC040673389.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/673/DOC040673393.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
1 700 ֏
1 090 ֏
от 15 шт. —
1 070 ֏
1 шт.
на сумму 1 090 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.006 Ом/71А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 55 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 1 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2621 КБ
Документация
pdf, 1654 КБ
Datasheet IRL3803
pdf, 139 КБ