IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]
![Фото 1/4 IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/791/DOC021791473.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/574/DOC044574113.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
730 ֏
419 ֏
от 15 шт. —
403 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 419 ֏
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
Крутизна характеристики, S | 3.1 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL520NSTRLPBF
pdf, 401 КБ
Datasheet irl520nspbf
pdf, 401 КБ